MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor Field-Effect Transistor) MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor Field-Effect Transistor) je typ tranzistoru s řízeným polem (FET), který se nejčastěji vyrábí řízenou oxidací křemíku. Má izolovanou řídicí elektrodu (gate), jejíž napětí určuje vodivost zařízení. Tato schopnost měnit vodivost v závislosti na velikosti přivedeného napětí se může využít pro zesilování nebo spínání elektronických signálů. Termín MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor) je téměř synonymem pro MOSFET. Dalším téměř synonymem je IGFET (Insulated-Gate Field-Effect Transistor). Základní princip tranzistoru s řízeným polem poprvé patentoval Julius Edgar Lilienfeld v roce 1925. Hlavní výhodou MOSFETu je, že pro řízení zátěžového proudu vyžaduje téměř nulový vstupní proud, ve srovnání s bipolárními tranzistory (BJT). U MOSFETu v režimu obohacování (enhancement mode) zvyšuje napětí přivedené na řídicí elektrodu vodivost zařízení. U tranzistorů v režimu ochuzování (depletion mode) snižuje napětí přivedené na řídicí elektrodu vodivost. "Metal" v názvu MOSFET je někdy nesprávný název, protože materiál řídicí elektrody může být vrstva polykřemíku (polykrystalický křemík). Podobně i "oxid" v názvu může být nesprávný název, protože se používají různé dielektrické materiály s cílem získat silné kanály s menšími přivedenými napětími. MOSFET je zdaleka nejběžnější tranzistor v digitálních obvodech, protože miliardy z nich mohou být zahrnuty do paměťového čipu nebo mikroprocesoru. Protože MOSFETy lze vyrobit buď z p-typových nebo n-typových polovodičů, lze pomocí komplementárních párů MOS tranzistorů vytvářet spínací obvody s velmi nízkou spotřebou energie ve formě CMOS logiky.
Facebook Twitter