Počítačová paměť a typy datového úložiště Obecně Paměťová buňka Koherenci paměti Koherenci vyrovnávací paměti Hierarchie paměti Vzorec přístupu k paměti Mapování paměti Sekundární úložiště Paměť MOS s plovoucí bránou Trvalá dostupnost Hustota plochy (úložiště počítače) Blok (úložiště dat) Objektové úložiště Přímé připojení úložiště Síťové připojení úložiště Síť úložného prostoru Úložiště na úrovni bloku Úložiště s jednou instancí Data Strukturovaná data Nestrukturovaná data Velká data Metadata Komprese dat Poškození dat Vyčištění dat Degradace dat Integrita dat Zabezpečení dat Validace dat Validace a srovnání dat Obnovení dat Úložiště Datový klastr Adresář Sdílený zdroj Sdílení souborů Souborový systém Klastrovaný souborový systém Distribuovaný souborový systém Distribuovaný souborový systém pro cloud Distribuovaný datový sklad Distribuovaná databáze Databáze Datová banka Datové úložiště Datový sklad Deduplikace dat Datová struktura Redundance dat Replikace (výpočty) Obnova paměti Záznam úložiště Informační úložiště Znalostní báze Počítačový soubor Objektový soubor Smazání souboru Kopírování souboru Záloha Výpis paměti Šestnáctkový výpis Datová komunikace Přenos informací Dočasný soubor Ochrana proti kopírování Správa digitálních práv Svazek (výpočty) Sektor spouštění Hlavní spouštěcí záznam Spouštěcí záznam svazku Diskové pole Diskový obraz Zrcadlení disku Agregace disku Particionování disku Segmentace paměti Lokalita reference Logický disk Virtualizace úložiště Virtuální paměť Soubor mapovaný do paměti Entropie softwaru Znehodnocení softwaru Databáze v paměti Zpracování v paměti Perzistence (informatika) Perzistentní datová struktura RAID Neradní architektura jednotek Stránkování paměti Přepínání bank Síťové výpočty Cloud computing Cloudové úložiště Fog computing Edge computing Dew computing Amdahlův zákon Moorův zákon Kryderův zákon Volatilní paměť RAM Hardware cache Cache procesoru Vyrovnávací paměť DRAM eDRAM SDRAM SGRAM LPDDR QDRSRAM EDO DRAM XDR DRAM RDRAM DDR GDDR HBM SRAM 1T-SRAM ReRAM QRAM Adresovatelná paměť (CAM) Výpočetní RAM VRAM Dvoupřístupová RAM Video RAM (dvoupřístupová DRAM) Historické Williams-Kilburnova trubice (1946–1947) Paměť se zpožďovací linkou (1947) Mellonova optická paměť (1951) Selectronova trubice (1952) Dekatron T-RAM (2009) Z-RAM (2002–2010) Nevolatilní paměť ROM Diodová matice MROM PROM EPROM EEPROM ROM kazeta Polovodičové úložiště (SSS) Flash paměť se používá v: SSD SSHD USB flash disk IBM FlashSystem Flash Core Module Paměťová karta Memory Stick CompactFlash PC Card MultiMediaCard SD karta SIM karta SmartMedia Universal Flash Storage SxS MicroP2 XQD karta Programovatelná metalizační buňka NVRAM Memistor Memristor PCM (3D XPoint) MRAM Elektrochemická RAM (ECRAM) Nano-RAM CBRAM Začáteční fáze NVRAM FeRAM ReRAM FeFET paměť Analogový záznam Fonografový válec Fonografická deska Čtyřnásobná videokazeta Vision Electronic Recording Apparatus Magnetický záznam Magnetické úložiště Magnetická páska Magnetopáskové ukládání dat Pásková jednotka Pásková knihovna Digital Data Storage (DDS) Videokazeta Videokazety Kazeta Linear Tape-Open Betamax 8 mm video formát DV MiniDV MicroMV U-matic VHS S-VHS VHS-C D-VHS Pevný disk Optické 3D optické ukládání dat Optický disk LaserDisc Kompaktní disk Digitální audio (CDDA) CD CD video CD-R CD-RW Video CD Super Video CD Mini CD Optické disky Nintendo CD-ROM Hyper CD-ROM DVD DVD+R DVD-Video DVD karta DVD-RAM MiniDVD HD DVD Blu-ray Ultra HD Blu-ray Holografický univerzální disk WORM Ve vývoji CBRAM Racetrack paměť NRAM Millipede paměť ECRAM Vzorovaná média Holografické ukládání dat Elektronická kvantová holografie 5D optické ukládání dat Digitální ukládání dat DNA Univerzální paměť Časový krystal Kvantová paměť UltraRAM Historické Ukládání dat na papír (1725) Děrný štítek (1725) Děrovaná páska (1725) Zásuvný panel Bubnová paměť (1932) Magnetojádrová paměť (1949) Paměť z potaženého drátu (1957) Paměť z jádrového lana (60. léta 20. století) Tenkovrstvá paměť (1962) Diskový balík (1962) Paměť Twistor (~1968) Bublinová paměť (~1970) Disketa (1971) Paměťová buňka je základní stavební kámen počítačové paměti. Paměťová buňka je elektronický obvod, který ukládá jeden bit binárních informací a musí být nastaven tak, aby uložil logickou 1 (vysoká úroveň napětí) a resetován tak, aby uložil logickou 0 (nízká úroveň napětí). Její hodnota je zachována/uložena, dokud není změněna procesem nastavení/resetování. Hodnotu v paměťové buňce lze získat jejím přečtením. V průběhu historie výpočetní techniky byly používány různé architektury paměťových buněk, včetně jádrové paměti a bublinové paměti. V současné době je nejběžnější architekturou paměťových buněk paměť MOS, která se skládá z paměťových buněk z kovu-oxidu-polovodiče (MOS). Moderní paměť s náhodným přístupem (RAM) používá jako klopné obvody tranzistory s efektem pole MOS (MOSFET) spolu s kondenzátory MOS pro určité typy RAM. Paměťová buňka SRAM (statická RAM) je typem klopného obvodu, který se obvykle implementuje pomocí MOSFET. Ty vyžadují velmi nízký výkon k udržení uložené hodnoty, když k nim není přístup. Druhý typ, DRAM (dynamická RAM), je založen na kondenzátorech MOS. Nabitím a vybitím kondenzátoru lze v buňce uložit '1' nebo '0'. Nabití tohoto kondenzátoru se však pomalu vybíjí a musí být pravidelně obnovováno. Kvůli tomuto procesu obnovy používá DRAM více energie. DRAM však může dosáhnout vyšších hustot úložiště. Na druhou stranu je většina nevolatilních pamětí (NVM) založena na architekturách paměťových buněk s plovoucí bránou. Technologie nevolatilní paměti, včetně EPROM, EEPROM a flash paměti, používají paměťové buňky s plovoucí bránou, které jsou založeny na tranzistorech MOSFET s plovoucí bránou.
Facebook Twitter